PVD recubrimiento blanco de pulverización de tántalo para el recubrimiento de semiconductores y recubrimiento óptico

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xNombre | Objetivo de recubrimiento PVD de tántalo | Grado | Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
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Purificación | el ≥99.95% | Densidad | 160,68 g/cm3 |
Superficie | Superficie trabajada a máquina | Estándar | Las demás partidas |
Estado de la entrega | con anillado | Forma de las piezas | Objetivo plano Objetivo giratorio Personalización de forma especial |
Resaltar | Objetivo de recubrimiento óptico de tántalo,Objetivo de pulverización de tántalo con revestimiento PVD,Objetivo de pulverización de tantalo con revestimiento de semiconductores |
Información sobre el producto:
Nombre | Objetivo de tóntalo para revestimiento PVD |
Grado | Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Purificación | ≥ 99,95% |
Densidad | 16.68 g/cm3 |
Superficie | Superficies mecanizadas, sin agujeros, arañazos, manchas, burros y otros defectos |
Estándar | Las demás partidas |
Forma de las piezas | Objetivo plano, objetivo giratorio, personalización de forma especial |
Contenido químico del blanco de tántalo para revestimiento de PVD:
Grado | Principales elementos | Contenido de impurezas inferior al % | |||||||||||
- ¿ Qué? | Nb | Fe | Sí, sí. | ¿ Qué? | No | ¿ Qué pasa? | Ti | Nb | ¿ Qué? | C. Las | H. | No | |
T1 | Quédate. | ¿Qué quieres decir? | 0.005 | 0.005 | 0.002 | 0.01 | 0.01 | 0.002 | 0.04 | 0.02 | 0.01 | 0.0015 | 0.01 |
Ta2 | Quédate. | ¿Qué quieres decir? | 0.03 | 0.02 | 0.005 | 0.04 | 0.03 | 0.005 | 0.1 | 0.03 | 0.01 | 0.0015 | 0.01 |
Se trata de: | Quédate. | Se trata de un5 | 0.03 | 0.03 | 0.005 | 0.04 | 0.03 | 0.005 | ¿Qué quieres decir? | 0.03 | 0.01 | 0.0015 | 0.01 |
TANb20 | Quédate. | 17.0 ¢ 23.0 | 0.03 | 0.03 | 0.005 | 0.04 | 0.03 | 0.005 | ¿Qué quieres decir? | 0.03 | 0.01 | 0.0015 | 0.01 |
Ta2,5 W | Quédate. | 0.005 | 0.005 | 0.002 | 3 | 0.01 | 0.002 | 0.04 | 0.02 | 0.01 | 0.0015 | 0.01 | |
T10W | Quédate. | 0.005 | 0.005 | 0.002 | 11 | 0.01 | 0.002 | 0.04 | 0.02 | 0.01 | 0.0015 | 0.01 |
Características del objetivo de tántalo PVD:
Punto de fusión alto,
Baja presión de vapor,
Buen rendimiento en frío,
Alta estabilidad química,
Resistencia fuerte a la corrosión del metal líquido,
La película de óxido de superficie tiene una constante dieléctrica grande
Aplicación:
El objetivo de tántalo y el objetivo de cobre se soldan, y luego se realiza una pulverización de semiconductores u ópticos,y los átomos de tántalo se depositan en el material del sustrato en forma de óxidos para lograr un recubrimiento de pulverizaciónLos objetivos de tántalo se utilizan principalmente en el recubrimiento de semiconductores, recubrimiento óptico y otras industrias.El metal (Ta) se utiliza actualmente principalmente para revestir y formar una capa de barrera a través de la deposición física de vapor (PVD) como material objetivo.
Podemos procesar de acuerdo con el dibujo del cliente, y producir Ta varilla, placa, alambre, papel, crisol, etc.
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